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半导体是现代技术的基石，推动了计算、通信、能源和光电子等领域的进步。从晶体管到光伏和LED，这些材料是无数设备的核心。为了满足对性能、效率和可靠性日益增长的需求，在从研发到生产的每个阶段，对半导体性能的精确表征至关重要。
共焦拉曼显微镜和光致发光（PL）成像技术是半导体研究的强大工具，能够提供结构和电子特性的详细见解。这些能力支持质量控制，优化生产流程，并加速新设备上市时间。
WITec alpha300 系列配备了最先进的拉曼和 PL 测量功能，可在一台仪器中完成测量，为半导体领域提供先进的解决方案。无论是可视化材料均匀性还是表征带隙特性，alpha300 显微镜都能帮助研究人员和制造商全面了解材料，克服半导体创新中的典型挑战。
对于全晶圆访问，探索我们的 alpha300 半导体版，该版本专为大面积成像优化，可容纳最大 12 英寸（300 毫米）晶圆。
alpha300 - Semiconductor Edition
拉曼成像与PL成像是互补技术，可理想结合为研究人员和制造商提供优化材料性能、确保最终器件质量所需的洞察。
查看我们的应用笔记《化合物半导体相关拉曼成像》，了解在晶圆分析中进行相关拉曼-PL测量示例。
半导体晶体结构中的微小变化（例如由应力或应变引起的）会极大地影响其稳定性和电气性能。WITec alpha300 拉曼显微镜具有卓越的灵敏度，能够分辨出微小的拉曼峰位移，精度可达波数的十分之一或百分之一。这里以氮化镓 (GaN) 为例，我们能够识别出由弗兰克-里德源引起的拉伸应力场（蓝色和绿色区域）。
如需了解更多关于材料应力分析的详情，请参阅我们的应用笔记《化合物半导体相关拉曼成像》。
共焦拉曼显微镜可实现半导体材料的无损亚表面结构分析。沿xz平面进行的拉曼深度剖析是确定晶圆内掺杂分布及测量层厚度的理想方法，同时保持样品完整性。
在此示例中，拉曼深度剖析成功分辨了加工过的 4H-SiC 晶圆中不同掺杂浓度的层：基板（蓝色）、1 µm 中间缓冲层（绿色）和 9 µm 外延层（红色）。只有凭借 alpha300 卓越的共焦性，才能获得准确计算这些层厚度的深度分辨率。
如需了解更多详情，请参阅我们的应用笔记《化合物半导体相关拉曼成像》。
如何在长距离成像（如晶圆成像）中，使共焦拉曼成像在结构化表面上保持聚焦？
TrueSurface，我们的专利光学轮廓仪技术，提供了答案。它会持续调整焦距以适应样品表面的结构，从而在大面积成像中保持卓越的焦距稳定性。TrueSurface 还可在单次扫描中同时提供详细的拓扑信息和测量数据。
将拉曼成像与先进的分析技术相结合，更深入地了解半导体的性能。WITec alpha300 显微镜的关联分析方法可将各种技术无缝整合，分析化学成分、电学性能、地形特征、元素分布，并获取高分辨率的结构数据。这有助于全面了解半导体材料，从而优化半导体材料，以满足尖端应用的需求。
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