alpha300 Semiconductor Edition

Brochure

工业半导体大尺寸晶圆检测应用

alpha300 Semiconductor Edition 半导体定制版是一款专门为半导体材料行业研发的高端共聚焦拉曼显微镜。它能帮助研发人员加速对半导体晶圆和器件的晶体质量、应力与掺杂以及失效分析的表征工作。

该款拉曼显微镜搭载大尺寸扫描台，可满足12英寸(30厘米)晶圆的大面积拉曼图像，配备主动隔振台和自动聚焦模块，保证其在测量期间可以对不同形貌样品进行大面积扫描或长时间采集。整套系统全部自动化，可远程控制，以保障工业标准流程测量。

询价增加到询价列表在询价列表中查看此产品

关键特性

高性能共聚焦拉曼显微镜，同时兼具快速、高灵敏度和高分辨率
高端波长优化光谱仪，高信号灵敏度和光谱分辨率
大面积扫描 (300 x 350 mm) ，适用于大尺寸晶圆检测
大面积测量时实时追踪聚焦 (TrueSurface)
主动隔振
高度自动化远程控制和可重复性工作流程
高级数据处理与分析软件

化学沉积CVD生长石墨烯D峰强度的高分辨率拉曼图像，该峰强呈现了石墨烯晶体结构的缺陷密度。

大尺寸晶圆检测

晶圆质量监控对半导体行业至关重要。晶圆大面积拉曼成像对全面检测其局域应力与掺杂的均匀性非常重要。

在本应用案例中，利用532 nm激光测量了整个6英寸(15 cm)碳化硅(SiC)晶圆的拉曼成像。结果表明，整个碳化硅的掺杂浓度分布呈现显著的非均匀。系统配备高稳定性UHTS 600 光谱仪，光谱重复性 0.02 cm^-1，能准确揭示晶圆内的掺杂或应力分布。

大尺寸晶圆存在不同程度的翘曲，为了获得整个晶圆的清晰拉曼成像，保持激光实时聚焦是关键，而WITec TrueSurface 实时聚焦拉曼成像可以同时获得晶圆表面形貌和拉曼数据。

通过对外延生长的SiC晶圆进行纵向拉曼成像扫描，可直接可视化呈现衬底、外延层和界面层的相对分布。

样品来自德国埃尔兰根的弗劳恩霍夫集成系统和设备技术研究所。

15cm SiC 晶圆的共聚焦拉曼图像。拉曼成像多组分分析自动区分两类光谱，其主要区别体现在与掺杂有关的 A1 峰（约 990 cm-1）峰强与峰位差异。该图像显示了椭圆形区域（蓝色）的掺杂浓度与晶圆主体区域（红色）存在明显的差异性。

Raman spectra identified in the 150 mm SiC wafer

对 15cm SiC 晶圆中两种成分的拉曼光谱进行分析

Raman depth scan of an epitaxially overgrown SiC wafer

外延生长的SiC晶圆深度拉曼图像，清晰显示出晶圆衬底（绿色）、外延层（红色）以及二者间的界面层（蓝色）。

15cm SiC晶圆的共聚焦拉曼图像，代表了与应力有关的 E2 峰（776 cm^-1）的峰位分布。成像结果显示了晶圆中心到边缘呈现明显的非均匀性应力分布

15cm SiC 晶圆的形貌，如图显示其具有40 µm 的翘曲。

技术规格

科研级 alpha300 拉曼显微镜
标准科勒照明
300 x 350 mm 样品扫描台
真空吸盘，可选配真空泵
TrueSurface 实时聚焦及拉曼-形貌分析
主动隔振
全自动显微镜控制及 AutoBeam 光路自动校正技术
多种激光波长可选
高灵敏度、同轴、透镜设计、波长优化的 UHTS 光谱仪，配备高端低噪CCD光谱相机
配备 WITec 专业软件用于仪器控制、数据采集和后处理
工作流管理器，用于简化重复的实验任务
可接入LabVIEW、Python、C# 等编程工具的 DCOM 接口及客户自定义测量流程

alpha300 Semiconductor Edition – 专用于晶圆检测的共聚焦拉曼成像显微镜

拉曼成像在半导体研究中的优势

共聚焦拉曼成像是半导体行业研发与质量控制的重要利器，无损地获取多种半导体材料及其异质结构的详细空间分布的化学信息，如：硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等工业半导体材料；石墨烯、钙钛矿和过渡金属二硫族化合物(TMDs) 等新型二维材料。

可视化的拉曼图像可直接呈现不同材料的空间分布以及材料特性，如结晶度、张力、应力或掺杂类型与浓度。纵向拉曼呈现则有助于探索基底上的材料分布和材料界面层，甚至可以对晶圆中的内部异物或者微管进行3D拉曼成像。

形貌拉曼成像

Topographic Raman image of micro-structured silicon

对未抛光硅片进行集形貌信息与化学信息的实时聚焦拉曼成像（TrueSurface）。图中蓝色区域对应于硅片的主体结构，粉红色区域则显示了荧光杂质的分布。样品表面最大高度变化为 9 µm.

二维材料分析

Characterization of a WSe₂ flake. A: bright-field image. B: high-resolution Raman image (102,400 spectra acquired in about 17 minutes), distinguishing single-layer (red), bi-layer (green), and multi-layer (blue) areas. C: photoluminescence image with visible grain boundary (white arrow).

在Si/SiO₂衬底上CVD生长的单层 MoS₂ 的典型拉曼光谱

单层 MoS₂ 的 E_2g 拉曼峰位图像，体现了材料生长产生的应力均匀性及其分布

联系我们

请完整填写以下信息，我们将尽快与您取得联系。

称呼

头衔

名 *

姓 *

机构／公司 *

街道地址 *

城市 *

邮编 *

国家 *

电子邮件 *

电话

产品

您的信息

通过提交此表格，我同意牛津仪器将按照隐私政策中的描述处理我的数据

我们希望可以通过电子邮件向您发送我们产品或应用的最新资讯。您愿意接收吗？

是的，请随时通知我。

不，我对接收额外信息不感兴趣